Una tecnología de memoria rápida que requiere energía para mantener su contenido. La RAM estática (SRAM, S-RAM) se utiliza para registros de alta velocidad, cachés y bancos de memoria relativamente pequeños, como la memoria intermedia de una tarjeta gráfica. En cambio, la memoria principal de un ordenador suele ser RAM dinámica (DRAM). Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso de entre 10 y 30 nanosegundos, mientras que la RAM dinámica suele estar por encima de los 50 ns.
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La RAM estática es rápida porque la configuración de seis transistores de sus circuitos de flip-flop en forma de pretzel mantiene el flujo de corriente en una dirección o en otra (0 o 1). El estado 0 ó 1 puede escribirse y leerse instantáneamente sin esperar a que el condensador se llene o se vacíe; sin embargo, los seis transistores ocupan más espacio que las celdas de RAM dinámica formadas por un transistor y un condensador (véase RAM dinámica).
Los primeros chips de RAM estática asíncrona realizaban las operaciones de lectura y escritura de forma secuencial. Los nuevos chips de RAM estática sincrónica superponen las lecturas y las escrituras.
Una célula de RAM estática
Cuando se aplican tensiones opuestas a los cables de la columna, el flip-flop se orienta en una de las dos direcciones para obtener un 0 o un 1. En ese momento, el flip-flop (centro amarillo) se convierte en una célula de almacenamiento que se autoperpetúa mientras se aplique una tensión constante.